선형회로망
전압원과 전류원
- 전압원: 내부저항 $0$
- 전류원: 내부저항 $\infty$
회로망의 기본 해석법
- 지로(Branch) 해석법
- 지로전류 선정
- 접속점에 키르히호프의 전류 법칙 적용
- 망로(Mesh)에 키르히호프의 전압 법칙 적용
- 연립방정식 해법
- 폐로(Loop, Mesh) 해석법
- 망로전류 선정
- 망로에 키르히호프의 전압 법칙 적용
- 자기망로의 저항: 자기저항
- 이웃망로와 걸쳐있는 저항: 상호저항
- 연립방정식 해법
- 절점(Node) 해석법
- 기준절점 및 기준전위 선정
- 절점에 키르히호프의 전류 법칙 적용
- 연립방정식 해법
회로망의 여러 정리
- 중첩의 정리: 선형회로
- 다수의 독립 전압원 및 전류원을 포함하는 회로
- 어떤 지로에 흐르는 전류는 각 전원이 단독으로 존재할 때 그 지로에 흐르는 전류의 대수합과 같다.
- 전압원은 단락, 전류원은 개방
- 테브난의 정리: 전압과 전류의 비례관계
- 등가 전압원의 원리
- 임의의 회로망에 대한 개방 단자전압이 $V_{0}$, 부하측 개방단자 $a$, $b$에서 회로망 방향으로 본 합성 임피던스가 $Z_{0}$인 경우의 회로는 $V_{0}$에 하나의 임피던스가 부하 임피던스 $Z_{L}$과 직렬로 연결된 회로와 같다는 원리
- 테브난 등가회로 구성
- 회로에서 부하저항 $R_{L}$을 분리한다.
- 개방단자 $a$, $b$에 나타나는 전압: 테브난 전압($V_{TH}$)
- 전압원 단락, 전류원 개방 후 개방단자에서 본 임피던스: 테브난 임피던스($Z_{TH}$)
- 노턴의 정리
- 등가 전류원의 정리
- 전원을 포함하고 있는 회로망에서 임의의 두 단자 $a$, $b$를 단락했을 때 부하 측 개방단자 $a$, $b$에서 회로망 방향으로 본 개방단 임피던스를 $R_N$이라 할 경우 단자 $a$, $b$에 대하여 하나의 전류원 $I_{N}$에 하나의 임피던스 $R_{N}$이 병렬로 연결된 회로와 같다는 원리
- 노턴 등가회로 구성
- 회로에서 부하저항 $R_{L}$을 분리한다.
- 절점 $a$, $b$를 단락시켰을 때 단락점에 흐르는 전류: 노턴 전류원($I_{N}$)
- 전압원 단락, 전류원 개방 후 개방단자에서 본 임피던스: 노턴 임피던스($R_{L}$)
- 태브난 회로와 노턴 회로 변환
- $V_{TH}=I_{N}R_{N}$
- $I_{N}=\dfrac{V_{TH}}{R_{TH}}$
- $R_{TH}=R_{N}$
- 밀만의 정리
- 내부 임피던스를 가지는 여러 개의 전압원이 병렬로 접속되어 있을 때 그 병렬 접속점에 나타나는 합성전압
- 각각의 전원을 단락했을 때 흐르는 전류의 대수합을 각각의 전원의 내부 임피던스의 대수합으로 나눈 것과 같다는 원리
$V_{ab}=\dfrac{\dfrac{E_{1}}{Z_{1}}+\dfrac{E_{2}}{Z_{2}}+…+\dfrac{E_{n}}{Z_{n}}}{\dfrac{1}{Z_{1}}+\dfrac{1}{Z_{2}}+…+\dfrac{1}{Z_{n}}}=\dfrac{I_{1}+I_{2}+…+I_{n}}{Y_{1}+Y_{2}+…+Y_{n}}=\dfrac{Y_{1}E_{1}+Y_{2}E_{2}+…+Y_{n}E_{n}}{Y_{1}+Y_{2}+…+Y_{n}}$
- 가역의 정리, 상반의 정리
- 임의의 선형 수동 회로망에서 회로망의 한 지로에 전원 전압을 삽입한다.
- 다른 임의의 지로에 흐르는 전류는 후자의 지로에 동일한 전압 전원을 삽입할 때 전자의 지로에 흐르는 전류와 동일하다는 원리
- 쌍대회로
원회로 | 변환회로 |
---|---|
직렬회로 | 병렬회로 |
전압원 $V$ | 전류원 $I$ |
저항 $R$ | 컨덕턴스 $G$ |
인덕턴스 $L$ | 정전용량 $C$ |
리액턴스 $X$ | 서셉턴스 $B$ |
개방회로 | 단락회로 |
$Y$형 | $\Delta$형 |
키르히호프의 전압 법칙 | 키르히호프의 전류 법칙 |
폐로 방정식 | 절점 방정식 |
테브난의 정리 | 노턴의 정리 |
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